In semiconductor physics, the photo–Dember effect (named after its discoverer Harry Dember) is the formation of a charge dipole in the vicinity of a semiconductor surface after ultra-fast photo-generation of charge carriers. The dipole forms owing to the difference of mobilities (or diffusion constants) for holes and electrons which combined with the break of symmetry provided by the surface lead to an effective charge separation in the direction perpendicular to the surface. In an isolated sample, where the macroscopic flow of an electric current is prohibited, the fast carriers (often the electrons) are slowed and the slow carriers (often the holes) are accelerated by an electric field, called the Dember field.
| Attributes | Values |
|---|
| type
| |
| label
| - Photo–Dember effect
- Dember-Effekt
- Efeito Dember
- Effetto foto-Dember
- Ефект Дембера
- Эффект Дембера
- 光登伯效应
|
| comment
| - Der Dember-Effekt, auch Foto-Dember-Effekt oder Kristallfotoeffekt genannt, ist nach dem Physiker Harry Dember (1882–1943) benannt.Er beschreibt die Entstehung einer elektrischen Spannung bei der Einstrahlung von Licht auf einen Halbleiter.
- O efeito Dember é a produção de uma diferença potencial entre duas regiões de um semicondutor quando uma delas é eliminada. É um fenômeno relacionado com o "foto-eletromagnético" sem que exista, contudo, um campo magnético.
- 光登伯效应（英语：photo-Dember effect)，半导体受飞秒激光激发后，发出带电的电磁輻射，这是由于极快电子-空穴对在很强载流子梯度而造成的。同时，由于电子和空穴的迁移率不同，破坏了表面的对称性，半导体表面附近形成垂直表面的电偶极矩（正极在下，负极在上）。这种效应，称为光登伯效应。它是美国物理学家于1931年发现的。 光登伯效应的主要应用之一是用来产生太赫兹脉冲輻射或太赫兹时间范畴谱仪。大多数半导体都具有光登伯效应，但在狭带隙半导体，如InAs 和InSb ，它们具有较高的电子迁移率，而光登伯效应较强。 近来已有人能做出与激化面平行的极化面光登伯效应。
- Эффект Дембера — явление в физике полупроводников, состоящее в возникновении электрического поля и ЭДС в однородном полупроводнике при его неравномерном освещении за счёт разницы подвижностей электронов и дырок.
- Nella fisica dei semiconduttori, l'effetto foto-Dember (dal nome del suo scopritore ) è la formazione di un dipolo di carica nelle vicinanze di una superficie a semiconduttore dopo la fotogenerazione ultraveloce di portatori di carica. Il dipolo si forma a causa della differenza di mobilità (o costanti di diffusione) per fori ed elettroni che combinati con la rottura della simmetria fornita dalla superficie portano ad un'efficace separazione di carica nella direzione perpendicolare alla superficie. In un campione isolato, dove il flusso macroscopico di una corrente elettrica è proibito, i portatori veloci (spesso gli elettroni) sono rallentati e i portatori lenti (spesso le lacune) sono accelerati da un campo elettrico, chiamato campo di Dember.
- Ефект Дембера — явище в фізиці напівпровідників, яке складається з виникнення електричного поля і ЕРС в однорідному напівпровіднику при його нерівномірному освітленні за рахунок різниці рухливості електронів і дірок.Час встановлення постійного значення ЕРС Дембера при постійному освітленні визначається часом встановлення дифузійно-дрейфової рівноваги, близьким до максвелівського часу релаксації. Непостійний ефект Дембера, що викликаний імпульсним освітленням, використовується для генерації терагерцового випромінювання. Найбільш сильний ефект Дембера спостерігається в напівпровідниках з вузькою забороненою зоною і високою рухливістю електронів, наприклад в InAs, InSb .
- In semiconductor physics, the photo–Dember effect (named after its discoverer Harry Dember) is the formation of a charge dipole in the vicinity of a semiconductor surface after ultra-fast photo-generation of charge carriers. The dipole forms owing to the difference of mobilities (or diffusion constants) for holes and electrons which combined with the break of symmetry provided by the surface lead to an effective charge separation in the direction perpendicular to the surface. In an isolated sample, where the macroscopic flow of an electric current is prohibited, the fast carriers (often the electrons) are slowed and the slow carriers (often the holes) are accelerated by an electric field, called the Dember field.
|
| differentFrom
| |
| sameAs
| |
| topic
| |
| depiction
| |
| described by
| |
| subject
| |
| Wikipage page ID
| |
| Wikipage revision ID
| |
| Link from a Wikipage to another Wikipage
| |
| is primary topic of
| |
| wasDerivedFrom
| |
| http://purl.org/li...ics/gold/hypernym
| |
| dbo:abstract
| - Der Dember-Effekt, auch Foto-Dember-Effekt oder Kristallfotoeffekt genannt, ist nach dem Physiker Harry Dember (1882–1943) benannt.Er beschreibt die Entstehung einer elektrischen Spannung bei der Einstrahlung von Licht auf einen Halbleiter.
- O efeito Dember é a produção de uma diferença potencial entre duas regiões de um semicondutor quando uma delas é eliminada. É um fenômeno relacionado com o "foto-eletromagnético" sem que exista, contudo, um campo magnético.
- 光登伯效应（英语：photo-Dember effect)，半导体受飞秒激光激发后，发出带电的电磁輻射，这是由于极快电子-空穴对在很强载流子梯度而造成的。同时，由于电子和空穴的迁移率不同，破坏了表面的对称性，半导体表面附近形成垂直表面的电偶极矩（正极在下，负极在上）。这种效应，称为光登伯效应。它是美国物理学家于1931年发现的。 光登伯效应的主要应用之一是用来产生太赫兹脉冲輻射或太赫兹时间范畴谱仪。大多数半导体都具有光登伯效应，但在狭带隙半导体，如InAs 和InSb ，它们具有较高的电子迁移率，而光登伯效应较强。 近来已有人能做出与激化面平行的极化面光登伯效应。
- Nella fisica dei semiconduttori, l'effetto foto-Dember (dal nome del suo scopritore ) è la formazione di un dipolo di carica nelle vicinanze di una superficie a semiconduttore dopo la fotogenerazione ultraveloce di portatori di carica. Il dipolo si forma a causa della differenza di mobilità (o costanti di diffusione) per fori ed elettroni che combinati con la rottura della simmetria fornita dalla superficie portano ad un'efficace separazione di carica nella direzione perpendicolare alla superficie. In un campione isolato, dove il flusso macroscopico di una corrente elettrica è proibito, i portatori veloci (spesso gli elettroni) sono rallentati e i portatori lenti (spesso le lacune) sono accelerati da un campo elettrico, chiamato campo di Dember.
- Ефект Дембера — явище в фізиці напівпровідників, яке складається з виникнення електричного поля і ЕРС в однорідному напівпровіднику при його нерівномірному освітленні за рахунок різниці рухливості електронів і дірок.Час встановлення постійного значення ЕРС Дембера при постійному освітленні визначається часом встановлення дифузійно-дрейфової рівноваги, близьким до максвелівського часу релаксації. Непостійний ефект Дембера, що викликаний імпульсним освітленням, використовується для генерації терагерцового випромінювання. Найбільш сильний ефект Дембера спостерігається в напівпровідниках з вузькою забороненою зоною і високою рухливістю електронів, наприклад в InAs, InSb .
- In semiconductor physics, the photo–Dember effect (named after its discoverer Harry Dember) is the formation of a charge dipole in the vicinity of a semiconductor surface after ultra-fast photo-generation of charge carriers. The dipole forms owing to the difference of mobilities (or diffusion constants) for holes and electrons which combined with the break of symmetry provided by the surface lead to an effective charge separation in the direction perpendicular to the surface. In an isolated sample, where the macroscopic flow of an electric current is prohibited, the fast carriers (often the electrons) are slowed and the slow carriers (often the holes) are accelerated by an electric field, called the Dember field. One of the main applications of the photo–Dember effect is the generation of terahertz (THz) radiation pulses for terahertz time-domain spectroscopy. This effect is present in most semiconductors but it is particularly strong in narrow-gap semiconductors (mainly arsenides and antimonides) such as InAs and InSb owing to their high electron mobility. The photo–Dember terahertz emission should not be confused with the surface field emission, which occurs if the surface energy bands of a semiconductor fall between its valence and conduction bands, which produces a phenomenon known as Fermi level pinning, causing, at its time, band bending and consequently the formation of a depletion or accumulation layer close to the surface which contributes to the acceleration of charge carriers. These two effects can contribute constructively or destructively for the dipole formation depending on the direction of the band-bending.
- Эффект Дембера — явление в физике полупроводников, состоящее в возникновении электрического поля и ЭДС в однородном полупроводнике при его неравномерном освещении за счёт разницы подвижностей электронов и дырок. Время установления стационарного значения ЭДС Дембера при постоянном освещении определяется временем установления диффузионно-дрейфового равновесия, близким к максвелловскому времени релаксации. Нестационарный эффект Дембера, вызываемый импульсным освещением, используется для генерации терагерцового излучения. Наиболее сильный эффект Дембера наблюдается в полупроводниках с узкой запрещенной зоной и высокой подвижностью электронов, например в InAs и InSb.
|
| dbo:thumbnail
| |
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
